[전자재료실험] MOS Capacitor
작성자
admin
작성일
2022-11-16 08:26
조회
187
전자재료실험 자료 MOS Capacitor 레포트
전자재료실험 자료 MOS Capacitor
[전자재료실험] MOS Capacitor
- 목차 -
1. 실험 목적
···········
p. 2
2. 실험 배경
···········
p. 2
3. 실험 이론
···········
p. 2
① Si의 특성
···········
p. 2
② MOS Capacitor
···········
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···········
p. 8
4. 실험 방법
···········
p. 9
5. 결과 예측
···········
p. 11
6. 결과 분석
···········
p. 12
① C-V 결과 분석
···········
p. 12
② I-V 결과 분석
···········
p. 16
7. 결론
···········
p. 19
8. 참고문헌
···········
p. 19
1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 ...- 목차 -
1. 실험 목적
···········
p. 2
2. 실험 배경
···········
p. 2
3. 실험 이론
···········
p. 2
① Si의 특성
···········
p. 2
② MOS Capacitor
···········
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···········
p. 8
4. 실험 방법
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p. 9
5. 결과 예측
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p. 11
6. 결과 분석
···········
p. 12
① C-V 결과 분석
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p. 12
② I-V 결과 분석
···········
p. 16
7. 결론
···········
p. 19
8. 참고문헌
···········
p. 19
1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을 발명했다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능 또한 우수해 전자공학에서 주도적인 역할을 차지하게 되었다. 오늘날과 같은 디지털정보사회가 되기까지 마이크로프로세서와 같은 디지털 기술이 성장에 발맞추어 MOSFET기술 또한 빠르게 발전해 왔다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 cpacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다.
3. 실험이론
Si-wafer
① Si의 특성
실리콘은 일반적으로 규소-규소 결합이 아주 불안정하기 때문에 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매우 저가의 가격으로 안정적으로 공급될 수 있는 재료이다. 또한 물질에 독성이 전혀 없어 환경적으로 매우 우수한 재료이기도 하다.
실리콘이 반도체 재료로 널리 사용되는 우수한 특성 중에 하나는 부도체막(산화물 SiO2, 또는 질화물 Si3N4)의 안정성이다. 특히 실리콘 산화물의 경우, 탄소끼리의 공유결합과는 달리 실록산 결합(Si-O)은 에너지적으로 안정하며, 결합 길이가 길고 결합각이 넓어서 사슬 자체가 유연하다. 그리고 규소-산소의 실록산 사슬은 탄소-산소의 결합 에너지 보다도 훨씬 강하다. 따라서 온도 변화에 따른 물리적, 기계적 성질 변화가 적은 우수한 특성을 나타내는 것이다. 이러한 안정된 산화막 혹은 질화막 특성으로 인해 실리콘은 다른 반도체 재료 즉, Ge 혹은 화합물 반도체(GaAs) 보다 훨씬 널리 사용되고 있다.
반도체를 제작하기 위한 단결정 실리콘 덩어리는 ingot이라 하며, ingot을 얇게 절단 가공하여 만들어진 실리콘은 wafer라 한다.
실리콘으로 만들어진 실리콘 wafer는 넓은 Energy Band Gap (1.2eV)을 가지고 있기 때문에 비교적 고온(약 200℃ 정도까지)에서도 소자가 동작할 수 있다. 이러한 장점 때문에 실리콘 wafer는 반도체 산업에서 DRAM, ASIC, TR(Transistor), CMOS, ROM, EP-ROM 등 다양한 형태의 반도체 소자를 만드는데 이용된다.
② MOS Capacitor
(a) MOS capacitor의 구조와 원리
MOS capacitor
Capacitor
Capacitor는 Condenser라고도 불리며 전기 에너지를 저장하거나 직류의 흐름을 차단하기 위해, 또는 전류의 주파수와 축전기의 용량에
자료출처 😕https://www.ALLReport.co.kr/search/Detail.asp?xid=a&kid=b&pk=11042285&sid=leesk55&key=
[문서정보]
문서분량 : 19 Page
파일종류 : HWP 파일
자료제목 : 전자재료실험 자료 MOS Capacitor
파일이름 : [전자재료실험] MOS Capacitor.hwp
키워드 : 전자재료실험,MOS,Capacitor,자료
자료No(pk) : 11042285
전자재료실험 자료 MOS Capacitor
[전자재료실험] MOS Capacitor
- 목차 -
1. 실험 목적
···········
p. 2
2. 실험 배경
···········
p. 2
3. 실험 이론
···········
p. 2
① Si의 특성
···········
p. 2
② MOS Capacitor
···········
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···········
p. 8
4. 실험 방법
···········
p. 9
5. 결과 예측
···········
p. 11
6. 결과 분석
···········
p. 12
① C-V 결과 분석
···········
p. 12
② I-V 결과 분석
···········
p. 16
7. 결론
···········
p. 19
8. 참고문헌
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p. 19
1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 ...- 목차 -
1. 실험 목적
···········
p. 2
2. 실험 배경
···········
p. 2
3. 실험 이론
···········
p. 2
① Si의 특성
···········
p. 2
② MOS Capacitor
···········
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···········
p. 8
4. 실험 방법
···········
p. 9
5. 결과 예측
···········
p. 11
6. 결과 분석
···········
p. 12
① C-V 결과 분석
···········
p. 12
② I-V 결과 분석
···········
p. 16
7. 결론
···········
p. 19
8. 참고문헌
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p. 19
1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을 발명했다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능 또한 우수해 전자공학에서 주도적인 역할을 차지하게 되었다. 오늘날과 같은 디지털정보사회가 되기까지 마이크로프로세서와 같은 디지털 기술이 성장에 발맞추어 MOSFET기술 또한 빠르게 발전해 왔다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 cpacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다.
3. 실험이론
Si-wafer
① Si의 특성
실리콘은 일반적으로 규소-규소 결합이 아주 불안정하기 때문에 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매우 저가의 가격으로 안정적으로 공급될 수 있는 재료이다. 또한 물질에 독성이 전혀 없어 환경적으로 매우 우수한 재료이기도 하다.
실리콘이 반도체 재료로 널리 사용되는 우수한 특성 중에 하나는 부도체막(산화물 SiO2, 또는 질화물 Si3N4)의 안정성이다. 특히 실리콘 산화물의 경우, 탄소끼리의 공유결합과는 달리 실록산 결합(Si-O)은 에너지적으로 안정하며, 결합 길이가 길고 결합각이 넓어서 사슬 자체가 유연하다. 그리고 규소-산소의 실록산 사슬은 탄소-산소의 결합 에너지 보다도 훨씬 강하다. 따라서 온도 변화에 따른 물리적, 기계적 성질 변화가 적은 우수한 특성을 나타내는 것이다. 이러한 안정된 산화막 혹은 질화막 특성으로 인해 실리콘은 다른 반도체 재료 즉, Ge 혹은 화합물 반도체(GaAs) 보다 훨씬 널리 사용되고 있다.
반도체를 제작하기 위한 단결정 실리콘 덩어리는 ingot이라 하며, ingot을 얇게 절단 가공하여 만들어진 실리콘은 wafer라 한다.
실리콘으로 만들어진 실리콘 wafer는 넓은 Energy Band Gap (1.2eV)을 가지고 있기 때문에 비교적 고온(약 200℃ 정도까지)에서도 소자가 동작할 수 있다. 이러한 장점 때문에 실리콘 wafer는 반도체 산업에서 DRAM, ASIC, TR(Transistor), CMOS, ROM, EP-ROM 등 다양한 형태의 반도체 소자를 만드는데 이용된다.
② MOS Capacitor
(a) MOS capacitor의 구조와 원리
MOS capacitor
Capacitor
Capacitor는 Condenser라고도 불리며 전기 에너지를 저장하거나 직류의 흐름을 차단하기 위해, 또는 전류의 주파수와 축전기의 용량에
자료출처 😕https://www.ALLReport.co.kr/search/Detail.asp?xid=a&kid=b&pk=11042285&sid=leesk55&key=
[문서정보]
문서분량 : 19 Page
파일종류 : HWP 파일
자료제목 : 전자재료실험 자료 MOS Capacitor
파일이름 : [전자재료실험] MOS Capacitor.hwp
키워드 : 전자재료실험,MOS,Capacitor,자료
자료No(pk) : 11042285
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