A＋ 받은 MOSFET 특성 실험(소신호증폭기) 결과레포트 보고서
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실험 15. MOSFET 특성 실험[2]
1. 실험 장비 및 회로도 -실험 장비 ① 함수발생기 ② 오실로스코프 ③ 오실로스코프 프로브 ④ 브레드보드 ⑤ 저항 (Ω) ⑥ 직류 전원 장치 ⑦ MOSFET ⑧ 커패시터 ( ) -실험 회로도 [1] MOSFET 특성 실험[2] 아래와 그림 1과 같은 회로를 구성한 후, 오실로스코프를 이용하여 입력전압 및 JFET의 드레인 단의 출력전압 을 측정하여 JFET의 증폭기 동작을 확인한다.
그림 1. MOSFET 특성 실험[2] 2. 실험 방법 [1] MOSFET 특성 실험[2] 1. 그림 1의 회로도를 참고하여 브레드보드에 회로를 결선한다. 최종 결선된 회로는 아래의 그림 2와 같다. 2. 아래의 그림 3과 같이 MOSFET의 Drain 단자에 의 DC Bias를 인가한다. 3. 아래의 그림 4와 같이 4V offset을 갖는 입력 소신호 의 진폭을 , , 로 변화하며 출력 소신호 의 peak-to-peak 값을 확인한다. – 2 –
그림 2. MOSFET 특성 실험[2] 회로도
그림 3. 드레인 DC 바이어스
그림 4. 입력 소신호 의 진폭 3. 실험 결과 [1] MOSFET 특성 실험[2] ※ 단, 오실로스코프의 Ch1은 , Ch2는 이며 수평축 2ms/Div, 수직축은 각 신호의 크기에 따라 적절하게 설정하였다. 드레인 DC Bias 를 인가한 후, 4V offset을 갖는 입력 소신호의 진폭을 변화시키며 출력 소신호를 관찰하였다. 아래의 그림 5는 의 입력 소신호, 그림 6은 의 입력 소신호에 대한 입-출력 소신호를 오실로스코프로 관찰한 결과이다. 값은 오실로스코프의 measure 기능을 통해 peak-to-peak 전압 값을 확인하였다.
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그림 5. 에 대한 측정 결과 입력 소신호[ ] 10 50
그림 6. 에 대한 측정 결과 출력 소신호[ ] 70.8 208
입력 소신호 측정값[ ] 27.8 64.0 표 1. MOSFET 특성 실험[2] 측정 결과
또한, PSPICE 시뮬레이션 회로 및 입-출력 소신호 파형은 아래와 같다. ※ PSPICE 시뮬레이션 진행 시 출력단의 커패시터를 이용하면 출력 소신호를 관측할 수 없었다. 따라서, 출력단의 커패시터를 제외한 회로에 대하여 시뮬레이션을 진행하였다. 실제 실험 회로에서 측정한 출력 소신호에서 DC Bias가 출력단의 커패시터를 통해 제거되는 점에 비해, 시뮬레이션을 통해 얻은 출력 소신호에서는 DC Bias가 측정 결과에 나타남을 확인할 수 있다.
그림 7. PSPICE 실험 회로도
그림 8. PSPICE 시뮬레…(생략)
[문서정보]
문서분량 : 5 Page
문서종류 : PDF 문서
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태그(#) : #A＋ #받MOSFET #특성 #실험 #소신호증폭기 #레포트
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